TMR4101典型输出信号波形
多维科技TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时,其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号,信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性,TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量,在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。多维科技先进的8英寸TMR工艺制程,在优化制造成本、提升芯片可靠性的同时,实现了紧凑的超薄型DFN4L(1.32 mm × 0.66 mm × 0.3 mm)封装,特别适用于以智能手机和平板电脑摄像头模组为代表的空间尺寸受限、同时需满足高精度定位要求的消费类应用场景。
TMR4101与配套磁栅的相对位置示意图
- 隧道磁阻(TMR)技术
- 检测磁栅周期 0.8 mm
- 高灵敏度
- 宽工作电压范围
- 允许较大的测量间隙
- A、B 相模拟电压输出
- 良好的温度稳定性
- 符合 RoHS & REACH
TMR4101芯片性能参数
TMR4101配套磁栅性能参数
TMR4101芯片内部原理框图
TMR4101引脚定义
TMR4101封装图(DFN4L)
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